STB160N75F3

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为功率器件的损耗和温升问题而困扰？想象一下，当您的电源模块或电机驱动系统需要处理高达120A的连续电流时，每一次开关动作都伴随着能量的无谓消耗和热量的堆积。现在，这一切有了全新的解决方案STB160N75F3的到来，正以其革命性的低导通电阻和卓越的热性能，重新定义75V功率应用的效率标准。

这颗源自ST意法半导体先进STripFET技术的N沟道MOSFET，绝非普通功率器件可比。其核心魅力在于，在10V驱动电压下，仅需4毫欧的超低导通电阻，就能轻松驾驭60A的电流。这意味着在服务器电源、工业变频器、大功率DC-DC转换器乃至新能源车车载充电机等严苛场景中，它能将导通损耗降至前所未有的低水平。更令人振奋的是，其高达330W（Tc）的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了即使在持续高负载或环境温度波动的挑战下，系统依然能稳定运行，大幅提升了整体方案的可靠性与寿命。

选择STB160N75F3，就是选择为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”。它不仅通过极低的栅极电荷（85nC @ 10V）优化了开关性能，减少了驱动损耗，其坚固的D2PAK封装更是为表面贴装工艺提供了优异的散热和机械可靠性。当您致力于打造更高功率密度、更小体积或更低温升的下一代产品时，这颗芯片所带来的能效提升和热管理简化，将直接转化为您的市场竞争力。我们作为专业的ST一级代理，不仅能确保您获得稳定可靠的原装货源，更能提供深度的技术支持和选型指导，助您将这颗高性能器件的潜力发挥到极致，快速赢得市场先机。

• 型号:STB160N75F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6750 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB160N75F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。