STB16N90K5

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否渴望一款能同时兼顾高耐压、低损耗与卓越可靠性的功率开关解决方案？答案就在STB16N90K5。这款来自ST意法半导体MDmesh K5系列的高性能N沟道MOSFET，以其900V的超高漏源电压和仅为330毫欧的超低导通电阻，为您打开了高效能电源设计的新篇章。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键赋能者。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩等严苛的应用环境中，系统需要稳定处理高功率，同时必须将能量损耗和发热降至最低。STB16N90K5正是为此而生。其MDmesh K5技术通过优化的单元结构和先进的工艺，实现了开关损耗与导通损耗的完美平衡。这意味着在频繁开关的工况下，它能显著减少能量浪费，让您的终端设备运行更凉爽、更安静，寿命也更长久。无论是应对电网波动，还是驱动感性负载，其稳健的900V耐压都提供了充足的安全裕度，让设计工程师安心无忧。

选择STB16N90K5，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它高达190W的功率耗散能力，结合D2PAK封装优异的散热特性，让功率密度得以大幅提升，帮助您设计出更紧凑、更轻巧的产品。其宽泛的-55°C至150°C工作结温范围，确保了从酷寒到炎热的极端环境下都能稳定工作。这颗芯片的价值，不仅体现在单个器件的优异参数上，更体现在它能为整个系统带来的效率飞跃和可靠性提升上。如需获取详细的技术支持与供货保障，您可以随时联系专业的ST中国代理，他们将为您提供从选型到量产的全链路服务。

归根结底，在追求极致能效的今天，每一个百分点的提升都意义重大。STB16N90K5正是您实现这一目标的得力伙伴。它用更少的能量损耗，传递更强的功率；用更小的温升，保障更长的运行时间。让它成为您下一代高性能电源与驱动设计的核心，共同创造出更绿色、更高效、更具市场竞争力的电子产品。

• 型号:STB16N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1027 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB16N90K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。