STB16NF25

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为开关损耗和导通电阻的平衡而苦恼？当系统需要处理高达14.5A的连续电流时，每一个毫欧的电阻都意味着宝贵的能量被转化为无谓的热量。现在，答案来了STB16NF25，这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，正是为高效、可靠的功率开关应用而生。它以其仅4毫欧的超低导通电阻（在10V驱动下），显著降低了导通损耗，让您的系统运行更凉爽，效率更高，直接将性能优势转化为产品的市场竞争力。

想象一下，在紧凑的DC-DC转换器中，STB16NF25能够轻松驾驭30V的电压平台，成为同步整流或主开关管的理想选择。其优化的栅极电荷特性，确保了快速、干净的开关动作，这对于提升开关频率、减小无源元件尺寸至关重要。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是新能源领域的电池管理系统，这颗芯片都能在严苛的环境中稳定输出，其坚固的D2PAK封装提供了出色的散热能力和机械可靠性，让您的设计无惧挑战。选择可靠的ST芯片代理合作伙伴，您不仅能获得正品保障，更能得到专业的技术支持，确保这颗高性能芯片的潜力被完全释放。

为何众多工程师在面临选型时，会青睐于STB16NF25？原因在于它提供了一个难以匹敌的价值组合。它不仅仅是一个参数表上的优秀器件，更是经过市场验证的解决方案。尽管其零件状态显示为停产，但在许多成熟且要求长期可靠性的设计中，它依然是经过千锤百炼的经典之选。其平衡的性能适中的电压、强大的电流能力、极低的Rds(on)以及优化的动态特性，使得它在成本与性能之间找到了最佳甜蜜点。当您需要一颗能够扛起大电流开关重任、同时保持系统高效简洁的MOSFET时，STB16NF25无疑是您值得信赖的伙伴，它能帮助您缩短开发周期，提升最终产品的能效等级，在激烈的市场竞争中赢得先机。

• 型号:STB16NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4490 pF @ 12 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB16NF25的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。