STB16NM50N

当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否渴望找到一款能同时兼顾高性能与高可靠性的功率开关解决方案？答案或许就藏在STB16NM50N这颗经典的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、简化热管理设计的得力助手。

源自ST意法半导体广受赞誉的MDmesh II技术平台，这款N沟道MOSFET拥有500V的出色耐压能力和15A的连续电流承载水平。这意味着在开关电源、电机驱动、不间断电源（UPS）以及工业照明等高压、大电流的应用场景中，它能游刃有余地处理能量转换的核心任务。无论是面对复杂的电网波动，还是需要长时间稳定运行的苛刻环境，其坚固的电气特性都能为您的系统构筑起一道可靠的安全屏障。

选择STB16NM50N，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能。其低至260毫欧的导通电阻（Rds(on)），直接转化为更低的传导损耗，让您的设备运行更“冷静”，效率更高。而优化的栅极电荷（Qg）特性，则有助于降低开关损耗，让高频开关设计变得更为轻松高效。这种在导通与开关性能间的精妙平衡，正是MDmesh II技术的精髓所在，它能帮助您在不牺牲可靠性的前提下，最大化系统的功率密度和整体能效。

尽管该型号目前已处于停产状态，但其卓越的设计和广泛的应用基础，使其在特定存量市场和备件领域依然拥有不可替代的价值。对于寻求稳定供应和可靠品质的工程师而言，通过值得信赖的ST一级代理渠道进行选型与采购，是确保获得正品原装器件、获得完整技术支持的最佳途径。让STB16NM50N以其久经考验的出色表现，成为您经典设计中那颗值得信赖的“心脏”，持续为您的产品注入强劲而稳定的动力。

• 型号:STB16NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB16NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。