STB170NF04

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能够承载80A大电流、导通电阻低至5毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计格局？今天，我们为您带来的STB170NF04，正是这样一款旨在释放系统潜能、重塑性能标杆的N沟道功率MOSFET。

源自意法半导体备受赞誉的STripFET II技术平台，这颗芯片不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的核心引擎。其40V的漏源电压与高达80A的连续漏极电流能力，为高电流应用提供了坚实的保障。更令人振奋的是，在10V驱动电压下，其导通电阻最大值仅为5毫欧，这意味着更低的传导损耗和更出色的能效表现，直接转化为更低的运行温度和更长的系统寿命。无论是面对严苛的工业环境还是追求紧凑的消费电子设计，它都能游刃有余。

将视野投向广阔的应用场景，STB170NF04的身影无处不在。在服务器和数据中心的电源模块中，它助力实现超高效率的DC-DC转换，为数字世界提供稳定而清洁的能源血液。在新能源领域，无论是太阳能逆变器的MPPT电路，还是电动汽车的车载充电器(OBC)和电机驱动辅助电源，其低损耗特性都能有效提升整体能量利用率。此外，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)以及大功率LED照明驱动等场合，它同样是实现高效、可靠开关动作的理想选择。其表面贴装的D2PAK封装，兼顾了功率处理能力与自动化生产的便利性。

选择STB170NF04，就是选择了一份经过市场验证的可靠与卓越。意法半导体的品质背书，加上其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温），确保了产品在极端条件下的稳定运行。较低的栅极电荷（典型值170nC）有助于简化驱动电路设计，并实现更高的开关频率，从而允许使用更小的磁性元件，进一步优化系统体积与成本。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST一级代理将为您提供从选型到供应的全程服务。让STB170NF04成为您下一个成功设计的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STB170NF04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:170 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB170NF04的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。