STB17N80K5

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？想象一下，当您的电源、电机驱动或工业设备需要在800V的高压下稳定、高效地切换大电流时，一颗兼具低损耗与高鲁棒性的功率MOSFET将是决定成败的关键。现在，答案就在眼前STB17N80K5，来自ST意法半导体MDmesh K5系列的明星产品，正以其卓越的性能重新定义高压应用的能效标准。

这颗芯片绝非寻常。它专为应对严苛的高压环境而生，800V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流能力，为您的设计构筑了坚实的安全边际。更令人振奋的是，其导通电阻（RdsOn）低至340毫欧（@7A, 10V），这意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，热量产生更少，系统整体效率得以显著提升。结合其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss），STB17N80K5实现了开关速度与开关损耗的完美平衡，让您的电源模块不仅跑得快，更跑得“冷静”、持久。

无论是服务器和通信设备的开关电源（SMPS），需要高效可靠的功率转换；还是工业电机驱动、变频器和电焊机，要求强大的驱动能力和耐用性；亦或是新能源领域的充电桩、光伏逆变器，追求在高压直流侧实现最优效率，STB17N80K5都能游刃有余。其D2PAK封装提供了优异的散热性能和机械强度，表面贴装设计便于自动化生产，而-55°C至150°C的宽广工作结温范围，则确保它能在从寒冷户外到高温机箱的各种极端环境中稳定运行，为您的产品全球部署扫清障碍。

选择STB17N80K5，就是选择了一份来自ST意法半导体的品质承诺与前瞻技术。MDmesh K5系列代表了ST在超结MOSFET技术上的最新突破，专为降低高频应用中的开关损耗而优化。这不仅仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本、加速上市周期的战略组件。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请认准官方授权的ST一级代理，他们将为您提供从选型到量产的全程专业服务。立即采用STB17N80K5，释放您设计的全部潜能，打造更节能、更紧凑、更可靠的下一代电力电子解决方案！

• 型号:STB17N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:866 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB17N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。