STB180N55F3

在追求极致效率的功率转换设计中，您是否还在为开关损耗和导通电阻的平衡而烦恼？当每一瓦的功耗都关乎产品的竞争力和用户体验时，选择一颗性能卓越的MOSFET至关重要。今天，我们向您隆重介绍意法半导体STripFET家族的明星产品STB180N55F3，它将用硬核参数重新定义55V应用场景下的性能标杆。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，电流如江河奔涌。STB180N55F3凭借仅3.5毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），能够显著降低导通状态下的功率损耗，这意味着更少的能量以热量的形式浪费，更高的系统整体效率得以实现。其高达120A的连续漏极电流承载能力和330W的功率耗散能力，赋予了它应对严苛工况的强悍体魄，确保系统在重载下依然稳定可靠。无论是面对瞬间的电流冲击，还是在-55°C至175°C的广阔温度范围内，它都能游刃有余，为您的设计提供坚实的保障。

为何众多领先的电源和驱动方案都青睐于它？答案在于其卓越的综合性能与价值。STripFET技术确保了器件在开关速度与电磁干扰（EMI）之间取得优异平衡，100nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关，减少开关损耗，特别适合高频应用。选择STB180N55F3，不仅仅是选择了一个元器件，更是选择了一种提升产品能效等级、增强系统可靠性的高效路径。对于需要稳定供应和专业技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购，是获得正品保障和完整供应链服务的最佳选择。让这颗已经过市场验证的功率器件，成为您下一代高效、紧凑型设计的强大心脏。

• 型号:STB180N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB180N55F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。