STB18N60M6

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗和散热问题而妥协？现在，一个全新的选择已经到来。我们隆重向您介绍STB18N60M6，这颗基于意法半导体革命性MDmesh M6技术的功率MOSFET，正是为打破效率瓶颈、释放系统潜能而生的利器。它不仅仅是一个开关，更是您实现卓越性能、提升产品竞争力的核心引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明这些严苛的应用场景中，系统需要稳定处理高电压大电流，同时还要将能量损耗和发热降到最低。STB18N60M6凭借其600V的耐压能力和13A的连续电流承载量，能够从容应对这些挑战。其超低的导通电阻（Rds(on)）意味着在导通状态下更少的能量以热量的形式浪费掉，直接转化为更高的系统效率和更低的运行温度。这让您的终端产品不仅更省电，运行更安静可靠，寿命也得以显著延长。

为何众多工程师在众多选项中最终锁定了它？答案在于MDmesh M6技术带来的全方位价值提升。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）使得开关速度极快，开关损耗大幅降低，这让高频开关电源的设计变得前所未有的高效。同时，其卓越的雪崩耐量和坚固性，为您的系统提供了额外的安全屏障。选择STB18N60M6，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺和性能保障。为了确保您能获得原装正品与完善的技术支持，我们强烈建议您通过官方ST授权代理进行采购。立即行动，让这颗高效的“心脏”为您的下一个设计注入强劲动力，共同迈向能效新巅峰！

• 型号:STB18N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB18N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。