STB18N65M5

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？是时候拥抱新一代的功率解决方案了。我们隆重向您推荐意法半导体MDmesh V系列中的明星产品STB18N65M5。这颗650V、15A的N沟道MOSFET，凭借其革命性的超低导通电阻和卓越的开关性能，正在重新定义高效与可靠的边界。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明这些严苛的应用场景中，系统需要持续稳定地处理高电压和大电流。STB18N65M5正是为此而生。其高达650V的漏源电压和15A的连续电流能力，为您的设计提供了充足的安全裕量。更关键的是，其MDmesh V技术将导通电阻（RDS(on)）降至惊人的220毫欧（@10V），这意味着在导通期间的能量损耗被大幅削减，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。无论您的电路工作在硬开关还是软开关拓扑中，这颗芯片都能让能量转换过程更加“冷静”和高效。

为什么越来越多的工程师在关键项目中转向选择STB18N65M5？答案在于其无与伦比的综合价值。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速、干净的开关动作，这不仅减少了开关损耗，还简化了驱动电路的设计，让您轻松实现更高频率的开关，从而可以使用更小、更便宜的磁性元件。表面贴装的D2PAK封装提供了出色的功率耗散能力（110W），结合其高达150°C的结温，赋予了系统强大的过载能力和在恶劣环境下的长期可靠性。选择它，就是选择了一份让终端产品更节能、更耐用、更具市场吸引力的保障。如需获取样品、技术支持和本土化服务，欢迎联系我们的ST中国代理，他们将为您提供全方位的专业支持。

• 型号:STB18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB18N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。