STB18NF30

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高电压、大电流场景下稳定工作，同时兼顾出色热性能和快速开关特性的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的STB18NF30，正是意法半导体为应对此类严苛挑战而精心打造的答案。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统整体性能、迈向更高能效等级的得力伙伴。

想象一下，在电动汽车的车载充电器（OBC）或DC-DC转换器中，能量需要被高效、可靠地转换与管理。STB18NF30凭借其330V的漏源电压和高达18A的连续漏极电流能力，轻松应对这些高压大电流的切换任务。其采用的STripFET II技术，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下优化至仅180毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，直接转化为更高的系统效率和更长的运行寿命。无论是工业电机驱动、不间断电源（UPS），还是高功率LED照明和开关电源（SMPS），这颗芯片都能以其卓越的电气特性，确保您的设计在性能与可靠性上脱颖而出。

选择STB18NF30，就是选择了一份来自意法半导体Automotive, AEC-Q101认证级别的品质承诺。它能够在-55°C至175°C的结温范围内稳定工作，并采用坚固的D2PAK封装，提供高达150W的功率耗散能力，确保在恶劣环境下依然坚若磐石。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度，减少了开关损耗，让您的系统响应更迅捷，整体能效再上一个台阶。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，遍布全球的ST代理商网络随时准备为您服务，从选型到量产，全程护航。让STB18NF30成为您下一个成功设计的强大心脏，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STB18NF30
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:330 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB18NF30的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。