STB18NM60N

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与大电流，且保持冷静与高效的“心脏”？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍意法半导体MDmesh II系列中的明星产品STB18NM60N。这不仅仅是一颗N沟道功率MOSFET，它更是您构建下一代高效能电源系统的基石，以其600V的卓越耐压能力和13A的强劲电流处理能力，为您的设计注入澎湃而稳定的动力。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明或UPS不间断电源等关键应用中，STB18NM60N如何大显身手。它采用先进的MDmesh II技术，将超低的导通电阻（Rds(on)）与优化的栅极电荷（Qg）完美结合。这意味着在每一次开关动作中，它能将导通损耗和开关损耗双双降至更低，让系统整体效率显著提升，同时发热量得到有效控制。其表面贴装的D2PAK封装不仅节省了宝贵的板级空间，更提供了出色的散热性能，确保器件在-55°C至150°C的严苛工作温度范围内稳定运行，功率耗散高达110W，赋予产品无与伦比的耐用性和长寿命。

选择STB18NM60N，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它代表了意法半导体在功率半导体领域的深厚积淀，即使已进入停产状态，其卓越的性能和广泛的应用验证使其依然是许多经典和特定需求设计的优选。为了确保您能获得正品货源与稳定的供应支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST芯片代理进行采购。这不仅能保障芯片的原厂品质与可追溯性，更能获得专业的技术选型支持与库存解决方案，让您的产品开发之路更加顺畅无忧。立即行动，让STB18NM60N成为您提升产品竞争力、赢得市场的秘密武器！

• 型号:STB18NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB18NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。