STB200NF03T4

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为功率器件的导通损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在高电流下保持极低阻抗，同时将开关损耗降至新低的MOSFET，将如何彻底改变您的电源设计。今天，我们为您带来的正是这样一款划时代的解决方案STB200NF03T4。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键钥匙。

源自意法半导体备受赞誉的STripFET III技术平台，这颗芯片天生就为高效而生。其惊人的3.6毫欧超低导通电阻（RDS(on)），意味着在高达120A的连续电流下，它能将导通损耗压缩到前所未有的低水平，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。配合优化的栅极电荷设计，它在高频开关应用中同样表现出色，能显著降低开关损耗，让您的系统整体效率轻松突破瓶颈。无论是追求紧凑空间的服务器电源，还是对动态响应要求严苛的电机驱动，STB200NF03T4都能游刃有余，确保系统在高负载下稳定、冷静地运行。

它的舞台遍布各个高要求的应用领域。在数据中心，它是构建高效48V转12V中间总线转换器（IBC）或POL（负载点）模块的核心，助力服务器和存储设备实现更高的功率密度与更低的PUE值。在工业自动化领域，它能完美驱动伺服电机、机械臂，提供强劲而精准的功率输出，确保生产线的可靠与高效。对于不断进化的电动汽车而言，它在车载充电机（OBO）、DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）中的均衡电路里扮演着关键角色，直接关系到充电速度和续航里程。甚至在高性能计算、通信基站电源等场景中，其卓越的电气性能和宽温工作范围（-55°C至175°C结温）都让它成为工程师信赖的选择。

选择STB200NF03T4，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它代表了意法半导体在功率半导体领域的深厚积淀，其D2PAK封装不仅提供了优异的散热能力，也兼容成熟的自动化贴装工艺。这意味着您不仅能获得顶级的性能，还能享受到稳定供应链带来的安心。当您需要将顶尖的芯片技术转化为产品优势时，与值得信赖的ST代理合作，将是获得正品保障、技术支持和快速响应的明智之举。立即将STB200NF03T4纳入您的设计，亲身体验它如何以更低的损耗、更高的效率，为您的下一代电力电子产品注入强劲动力，在激烈的市场竞争中率先冲线。

• 型号:STB200NF03T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB200NF03T4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。