STB200NF04L-1

在追求极致效率的电源与电机控制领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能承载120A大电流、导通电阻却低至毫欧级别的开关器件，将如何彻底改变您的设计格局？今天，我们为您带来的STB200NF04L-1，正是这样一款源自ST意法半导体STripFET II家族的功率巨星，它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统性能、赢得市场竞争力的关键钥匙。

这款N沟道MOSFET拥有高达40V的漏源电压和惊人的120A连续漏极电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下仅3.8毫欧。这意味着在您的大电流应用，如服务器电源、高性能DC-DC转换器或电动工具的无刷电机驱动中，它能将导通损耗降至前所未有的低水平。更低的损耗直接转化为更少的发热，让您的系统运行更凉爽、更稳定，同时也为缩小散热器尺寸、优化整体布局创造了巨大空间。其高达300W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，更是为它在严苛环境下的可靠运行提供了坚实保障。

无论是面对工业自动化中要求苛刻的电机驱动，还是数据中心的冗余电源模块，STB200NF04L-1都能游刃有余。它采用坚固的I2PAK通孔封装，不仅便于焊接和散热管理，其优化的栅极电荷（Qg）特性也确保了快速、干净的开关行为，这对于提升开关频率、减小磁性元件体积至关重要。当您需要构建高效、紧凑且可靠的功率处理单元时，选择它就意味着选择了经过市场验证的STripFET II技术所带来的卓越品质与性能一致性。我们的合作伙伴，专业的ST中国代理，随时准备为您提供全面的技术支持和供应链服务，确保您能顺利地将这颗高性能芯片的价值转化为产品的最终优势。

尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能参数和广泛的设计口碑，使其在特定升级、备件或对经典设计有要求的项目中依然极具价值。选择STB200NF04L-1，不仅是选择了一个高性能的电子元件，更是选择了一种以高效、可靠为核心的设计哲学。它能让您的产品在能效、功率密度和长期可靠性方面脱颖而出，帮助您在激烈的市场竞争中牢牢占据技术制高点。现在就深入了解它，开启您下一个功率设计项目的卓越篇章。

• 型号:STB200NF04L-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB200NF04L-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。