STB200NF04L

在追求极致效率的电源与电机控制领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能承载120A大电流、导通电阻低至3.5毫欧的开关核心，将如何彻底改变您的设计格局？现在，答案就在STB200NF04L。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的STripFET II技术，为您带来前所未有的高性能体验。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升系统能效、实现紧凑设计的强大引擎。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具中需要瞬间爆发大扭矩的电机驱动，甚至是新能源汽车辅助系统中的高效DC-DC转换，STB200NF04L都能游刃有余。其高达40V的漏源电压和120A的连续电流能力，为各种中压、大电流应用提供了坚实的保障。在电机控制场景中，其快速的开关特性和极低的导通损耗，意味着更少的能量以热的形式浪费，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。对于电源设计师而言，这意味着可以在更小的空间内实现更高的功率密度，轻松应对日益严苛的能效标准。

选择STB200NF04L，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性能。其D2PAK封装不仅提供了出色的散热能力，确保300W的功率耗散潜力得以稳定发挥，也兼容成熟的表面贴装工艺，简化您的生产流程。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定存量市场和高端替代方案中依然极具价值。要获取这颗经典芯片的可靠库存或探讨替代升级方案，您可以咨询专业的ST代理商，他们能为您提供精准的供应链支持和技术建议。让STB200NF04L成为您打造下一代高效、可靠电力电子产品的秘密武器，开启性能与价值双赢的新篇章。

• 型号:STB200NF04L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB200NF04L的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。