STB20NK50ZT4

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为高压大电流下的开关损耗和散热问题而困扰？现在，让我们为您介绍一个经过市场验证的卓越解决方案STB20NK50ZT4。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其500V的漏源电压和17A的连续漏极电流能力，天生就是为应对严苛的高压环境而生。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体效率、降低运行成本的关键赋能者。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，STB20NK50ZT4正以其SuperMESH技术的精髓高效工作。这项先进技术显著优化了器件的导通电阻与栅极电荷，使其在10V驱动电压下，导通电阻低至270毫欧。这意味着更低的传导损耗和更快的开关速度，直接转化为更低的温升和更高的系统可靠性。无论是工业变频器、UPS不同断电源，还是高要求的照明镇流器，它都能游刃有余地处理能量转换，确保您的终端产品在激烈的市场竞争中凭借稳定性和能效脱颖而出。

选择STB20NK50ZT4，就是选择了一份经久考验的安心。其D2PAK封装提供了优异的散热性能和机械强度，表面贴装设计适应现代化自动生产流程。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计、卓越的性能参数以及庞大的市场应用基础，使其成为许多经典设计升级或特定需求备料的理想选择。通过值得信赖的ST中国代理，您依然可以获取到高品质的原装产品，为您的项目延续提供坚实保障。让这颗凝聚了ST尖端工艺的功率器件，成为您打造高效、耐用电力电子系统的秘密武器。

• 型号:STB20NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:119 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB20NK50ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。