STB20NM50-1

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为功率器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要处理550V高压和20A大电流时，选择的MOSFET不仅关乎效率，更直接决定了产品的市场竞争力与生命周期。今天，我们向您隆重介绍一款历经市场验证的经典功率解决方案STB20NM50-1，它正是为突破此类挑战而生。

这颗源自ST意法半导体MDmesh技术家族的N沟道MOSFET，凭借其550V的漏源电压和20A的连续漏极电流能力，为工程师提供了宽广的设计裕度和坚实的性能基石。其核心魅力在于极低的导通电阻，在10A电流、10V驱动电压下，最大值仅为250毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接转化为更高的系统效率和更小的散热设计压力。无论是面对工业电机驱动中频繁的启停切换，还是开关电源中要求严苛的拓扑结构，它都能以出色的动态响应和稳定的功率耗散能力（高达192W），确保系统在-65°C至150°C的严酷温度范围内稳定运行。

想象一下，在您的下一台高性能服务器电源、工业焊接设备或是新能源充电模块中，STB20NM50-1将如何大显身手。它经典的I2PAK通孔封装，兼顾了优异的散热性能和坚固的机械特性，非常适合对可靠性要求极高的工业级和通信基础设施应用。其优化的栅极电荷（Qg最大值56nC）和输入电容特性，有助于简化驱动电路设计，让开关过程更加干净利落，从而提升整体系统的开关频率和功率密度。选择它，就是选择了一份由ST先进工艺背书的品质承诺，而通过正规的ST授权代理渠道获取，更能确保您获得原装正品与全面的技术支持，为项目的成功加上双保险。

尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场应用案例，使其在存量项目维护、特定高可靠性设计以及追求极致性价比的方案中，依然闪烁着不可替代的价值光芒。它不仅仅是一个电子元件，更是您构建高效、坚固、耐用电力系统的可靠伙伴。当您需要一颗能扛住高压、驾驭大电流、同时保持冷静与高效的“心脏”时，STB20NM50-1代表的经典设计与成熟性能，无疑是经过时间淬炼的智慧之选。

• 型号:STB20NM50-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB20NM50-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。