STB20NM50FDT4

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗与散热问题而妥协？让我们为您带来一个颠覆性的答案：STB20NM50FDT4。这款基于意法半导体先进FDmesh技术的N沟道功率MOSFET，以其卓越的500V耐压和20A的持续电流能力，正在重新定义中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、实现设计小型化的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或是高功率LED照明驱动器中，每一次开关动作都伴随着能量的损耗与热量的产生。STB20NM50FDT4的出现，正是为了精准解决这些痛点。其低至250毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下，电流通过的阻力更小，产生的热量显著降低。这不仅直接提升了能源转换效率，更能让您的散热设计变得更加轻松，系统运行更加稳定可靠。无论是面对严苛的工业环境，还是要求7x24小时不间断运行的通信设备，它都能游刃有余，确保核心动力源源不断。

选择STB20NM50FDT4，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。FDmesh技术专为优化开关性能与降低栅极电荷（Qg）而生，这使得它在高频开关应用中表现尤为出色，开关速度快，损耗更低。其坚固的D2PAK封装提供了优异的功率耗散能力（高达192W），确保芯片在高达150°C的结温下依然稳定工作。当您需要可靠、高效且经过市场验证的功率解决方案时，与专业的ST芯片代理合作，获取这颗性能强劲的芯片，无疑是加速项目成功、打造产品竞争力的明智之举。让它为您的下一个设计注入强劲动力，见证效率与可靠性的双重飞跃。

• 型号:STB20NM50FDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB20NM50FDT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。