STB20NM60-1

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗与散热问题所困扰？今天，我们为您带来一款历经市场验证的经典解决方案STB20NM60-1。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh技术家族的杰出代表，专为应对严苛的高压、高功率应用而生。其600V的耐压能力和20A的连续电流承载，意味着它能轻松驾驭从工业电源到电机驱动的广阔疆域，为您构建坚固的电力核心。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）中，这颗芯片凭借其低至290毫欧的导通电阻，能显著降低传导损耗，让能量转换更加顺畅高效。而在变频器或电机驱动电路中，其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，有效减少开关损耗和电磁干扰（EMI），让系统运行更安静、更稳定。无论是面对PFC（功率因数校正）电路的高频挑战，还是UPS（不间断电源）的持续负载要求，它都能展现出卓越的耐久性和一致性。

选择STB20NM60-1，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。其通孔I2PAK封装提供了优异的散热路径和机械强度，配合高达192W的功率耗散能力，让您的设计在高温环境下依然游刃有余。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其成为许多经典方案和备件替换的优选。通过我们专业的ST授权代理，您不仅能获取这颗性能强劲的芯片，更能获得原厂级的技术支持与供应链服务，确保您的项目从设计到量产全程无忧。让STB20NM60-1成为您提升产品竞争力、赢得市场信赖的强力引擎。

• 型号:STB20NM60-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB20NM60-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。