STB21N65M5

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当650V的高压与17A的强劲电流成为硬性需求，选择一颗兼具性能与可靠性的功率MOSFET，就是决定产品成败的关键一步。现在，让我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh V家族的明星成员STB21N65M5，它正是为打破效率瓶颈、释放系统潜能而生。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，每一次开关都意味着能量的转换与损耗。STB21N65M5凭借其先进的MDmesh V技术，将导通电阻（RDS(on)）控制在极低的190毫欧，这意味着在相同的电流下，芯片自身产生的热量大幅减少，系统整体效率显著提升。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让开关速度更快，开关损耗更低，使得您的电源设计能够轻松应对高频工作场景，在效率和功率密度之间找到完美平衡点。其高达150°C的结温（TJ）和125W的功率耗散能力，更是为系统在严苛环境下的稳定运行提供了坚实保障。

无论是面对需要高可靠性的电信基础设施，还是追求紧凑设计的消费类高端适配器，STB21N65M5的D2PAK封装都提供了优异的散热性能和机械强度，让您的PCB布局更加游刃有余。选择它，不仅仅是选择了一个元器件，更是选择了一种以更高能效、更强鲁棒性赢得市场的设计哲学。当您需要稳定可靠的供货与技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST一级代理，将为您提供从选型到量产的全程服务。所以，为何还要在性能与成本之间艰难取舍？让STB21N65M5成为您下一代高性能电源设计的核心动力，它将用实实在在的能效提升和卓越的可靠性，帮助您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得客户的长期信赖。

• 型号:STB21N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB21N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。