STB230NH03L

在追求极致效率的电源与电机控制领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在高电流下保持超低导通电阻，同时开关速度迅捷的功率器件，将如何彻底改变您的设计格局。今天，我们向您隆重介绍意法半导体STripFET家族的明星成员STB230NH03L，它正是为破解这些核心挑战而生。

这款N沟道MOSFET拥有高达80A的连续漏极电流承载能力和仅3毫欧的超低导通电阻（在10V Vgs，40A条件下），这意味着在您的大电流应用路径中，电能可以几乎无阻碍地通过，将导通损耗降至最低，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。无论是服务器电源中要求苛刻的同步整流，还是电动工具、无人机电调中需要爆发力与持续性的电机驱动，甚至是汽车辅助系统中的负载开关，STB230NH03L都能游刃有余，提供稳定可靠的功率开关解决方案。其高达300W的功率耗散能力与宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了它在严苛环境下的卓越耐久性。

选择STB230NH03L，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计自信。它采用了成熟的D2PAK封装，在功率密度和散热性能之间取得了完美平衡，便于PCB布局与热管理。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其成为库存优选或特定高可靠性设计的经典之选。为了确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理进行采购。让STB230NH03L成为您下一个成功产品的强大心脏，释放无限潜能，赢得市场竞争的先机。

• 型号:STB230NH03L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4700 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB230NH03L的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。