STB23N80K5

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭800V高压与16A大电流的功率开关，其导通电阻却低至惊人的280毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率的飞跃。现在，这一切由STB23N80K5为您实现。

作为ST意法半导体MDmesh K5系列的杰出代表，这颗N沟道MOSFET专为应对苛刻的高压环境而生。其核心价值在于，它完美平衡了高耐压与低损耗的矛盾。得益于先进的MDmesh K5技术，它在保持800V超高漏源电压的同时，将导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）优化到了全新水平。这意味着在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高端充电桩等应用中，它能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更高的能效和更低的温升脱颖而出。选择可靠的ST授权代理，正是确保您能稳定获得这颗高性能芯片，并获得专业技术支持的第一步。

当您设计新一代的开关电源（SMPS），尤其是那些工作在PFC（功率因数校正）或LLC谐振拓扑中的关键功率级时，STB23N80K5的卓越表现将直接转化为整机效率的提升。其高达190W的功率耗散能力，结合D2PAK封装优异的散热特性，让系统在面对持续高负载时依然从容稳定。无论是驱动工业泵机、变频器，还是构建高效可靠的电动汽车充电模块，它都能提供坚实的功率开关基础。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在极端环境下依然稳定运行，大大提升了终端产品的耐用性和可靠性。

那么，为何众多工程师在高压功率应用选型时，会越来越倾向于STB23N80K5？答案在于它带来的综合价值远超一个单一的元器件。它不仅仅是一个开关，更是一个提升系统层级的解决方案。更低的栅极电荷意味着驱动电路可以更简单、更快速，从而减少开关延迟，提升系统响应速度。更低的导通损耗则直接减少了热量产生，允许您采用更小巧的散热器或优化风道设计，从而压缩整体体积与成本。从提升产品能效等级以满足严苛法规，到增强系统功率密度以打造更小巧的终端设备，STB23N80K5都能成为您设计蓝图中最可靠、最富成效的一笔。立即将它纳入您的物料清单，开启高效、紧凑、可靠的电源设计新篇章。

• 型号:STB23N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 16A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB23N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。