STB23NM50N

当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否曾渴望一颗既能承载高压大电流，又能保持冷静高效的“心脏”？STB23NM50N正是为此而生。它不仅仅是一个参数表上的组件，更是意法半导体MDmesh II技术家族的杰出代表，专为那些对性能、可靠性和能效有极致要求的应用场景量身打造。想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，一颗芯片如何凭借其卓越的电气特性，成为整个系统稳定运行的基石，并为您带来显著的竞争优势。

这颗芯片的强大，首先体现在其坚固的根基上。500V的漏源电压和高达17A的连续漏极电流，赋予了它从容应对严苛电力环境的能力。更令人印象深刻的是，其极低的导通电阻在10V驱动电压下仅190毫欧，这意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效转化为有用功，而非令人头疼的热量。这种高效率直接转化为更低的运营成本、更小的散热器需求以及更紧凑的系统设计。无论是面对突然的负载波动，还是长期连续运行，它都能保持稳定输出，让您的产品在市场上以卓越的可靠性脱颖而出。

从数据中心里永不间断的服务器电源单元，到工厂自动化生产线上的电机驱动器和焊接设备，再到日益普及的新能源汽车车载充电器，STB23NM50N的身影无处不在。它擅长处理功率转换的核心任务，在PFC（功率因数校正）、DC-DC变换和各类开关电源拓扑中扮演着关键开关的角色。其快速的开关特性和优化的栅极电荷管理，确保了系统响应敏捷，同时将开关损耗控制在更低水平。选择它，就是为您的产品注入了工业级的耐久力。其表面贴装的D2PAK封装不仅便于自动化生产，更能有效将热量传导至PCB，结合高达150°C的结温工作能力，确保了在高温环境下依然性能不减。

那么，为何众多工程师将STB23NM50N作为高压大电流应用的首选？答案在于它实现了性能、成本与可靠性的完美平衡。它并非单纯追求参数的堆砌，而是通过MDmesh II技术的内部结构优化，在相同的硅片面积上实现了更优的RdsOn与Qg比值，这意味着您能以更具竞争力的成本，获得顶级的能效表现。这颗芯片的“有源”状态，也象征着其旺盛的生命力和持续供货的保障，让您的项目没有后顾之忧。当您需要获取样品、技术资料或批量采购支持时，可以随时联系专业的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全链路服务。立即将STB23NM50N纳入您的设计，亲身体验它如何化繁为简，将复杂的功率管理挑战，变为您产品领先市场的坚实动力。

• 型号:STB23NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB23NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。