STB25NM50N-1

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为寻找一颗能在高压下稳定工作、同时保持出色开关特性的功率开关管而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STB25NM50N-1。这颗源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，以其500V的耐压和22A的连续电流能力，早已成为众多工程师在高压应用中的信心之选。即便在宣布停产后，其卓越的性能和广泛的适用性，依然使其在库存市场和特定项目中散发着不可替代的价值光芒。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）初级侧，或是电机驱动、PFC（功率因数校正）电路的关键位置，STB25NM50N-1正默默发挥着核心作用。它那低至140毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率。对于UPS不间断电源、工业电源乃至一些照明镇流器设计而言，这种效率的提升不仅仅是数字上的优化，更是产品可靠性、寿命和市场竞争力的坚实保障。其I2PAK的封装形式，为通孔安装提供了稳固的机械支撑和优异的散热路径，让功率耗散高达160W（Tc）成为可能，从容应对严苛的工作环境。

为什么在众多选择中，资深工程师们依然会青睐这颗芯片？答案在于ST意法半导体MDmesh II技术带来的综合优势。它不仅仅关注静态参数，更优化了动态性能。较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得开关过程更加迅速、干净，减少了开关损耗，同时也降低了对驱动电路的要求，让您的设计更简洁、更高效。选择STB25NM50N-1，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性。如果您正在为现有产品的维护、升级或特定项目寻找这款经典器件，联系一家可靠的ST芯片代理将是获取正品库存、确保供应链稳定的关键一步。让这颗经典的功率MOSFET，继续为您的创新注入稳定而强大的动力。

• 型号:STB25NM50N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2565 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB25NM50N-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。