STB25NM60ND

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的选择而反复权衡？当面对600V高压应用时，一颗兼具低损耗、强驱动与卓越热性能的MOSFET，往往是决定系统成败的关键。今天，我们向您隆重介绍来自ST意法半导体的高性能解决方案STB25NM60ND，它正是为应对此类挑战而生的得力干将。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或工业照明系统中，这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，能够轻松驾驭高达600V的电压和21A的连续电流。其核心魅力在于极低的导通电阻在10.5A、10V条件下仅160毫欧，这意味着更少的导通损耗，更多的电能被高效转化为有用功，直接为您带来更低的系统温升和更高的整体效率。无论是面对频繁开关的PWM控制，还是需要稳定持续输出的功率环节，它都能以更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）快速响应，让您的设计动态性能更加出色。

这种卓越的性能，让STB25NM60ND在众多应用场景中游刃有余。它可以成为服务器电源和通信电源中功率因数校正（PFC）电路的核心开关，提升能源利用率；也能在变频器、电焊机等工业电机驱动中担当主功率开关，确保强劲而平稳的动力输出；同样，它也能完美适配于LED驱动和高强度气体放电灯镇流器，为高效照明提供坚实保障。其D2PAK封装不仅提供了优异的散热路径，支持高达160W的功率耗散，其表面贴装形式也顺应了现代自动化生产的趋势。选择它，就是为您的产品注入了来自ST意法半导体的高品质基因，而我们作为值得信赖的ST一级代理，将确保您获得正品货源与专业的技术支持。

因此，当您下一次为高压、大电流的功率转换项目选型时，STB25NM60ND无疑是一个值得重点考虑的选择。它不仅仅是一个参数出色的电子元件，更是您提升产品竞争力、实现能效目标、并确保长期运行可靠性的战略伙伴。让这颗凝聚了尖端FDmesh II技术的功率器件，助力您的创意更快、更稳地转化为市场领先的产品。

• 型号:STB25NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB25NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。