STB270N4F3

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为系统损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一颗能够承载160A大电流却仅有2.5毫欧导通电阻的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局？今天，我们为您带来的正是这样一款颠覆性的解决方案STB270N4F3。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体STripFET III技术的巅峰之作，专为应对严苛的汽车级应用而生，其卓越的性能参数背后，是系统整体效率的飞跃和可靠性的坚实保障。

当您将它置于车载DC-DC转换器的核心，或是电机驱动桥臂的关键位置时，其超低的Rds(on)特性将直接转化为更少的能量损耗和更低的温升。这意味着，在同样的空间和散热条件下，您的系统可以输出更大的功率，或者以更紧凑的设计实现相同的性能目标。从电动助力转向到电池管理系统，从48V混动架构到高功率LED驱动，STB270N4F3都能游刃有余，确保动力传输干净利落，能量转换高效精准。其AEC-Q101认证的汽车级品质，更是为您的产品在振动、高温和长寿命要求面前，筑起了无可挑剔的信任防线。

选择STB270N4F3，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它高达330W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，让您的产品能够从容应对各种极端环境挑战。表面贴装的D2PAK封装兼顾了功率处理能力与自动化生产的便利性。更低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升高频开关电源的效率至关重要。如果您正在寻找一个能同时满足高性能、高可靠性和高性价比的功率开关方案，那么这款芯片无疑是您的理想之选。通过与值得信赖的ST代理合作，您可以轻松获得完整的技术支持和供应链保障，让创新之旅再无后顾之忧。

• 型号:STB270N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB270N4F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。