STB28N65M2

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更高功率密度时感到束手束策，您是否曾渴望一颗能在高压环境下稳定输出、同时保持超低损耗的功率器件？今天，我们为您带来的STB28N65M2，正是意法半导体MDmesh M2系列中一颗闪耀的明星，它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统能效、实现设计突破的可靠伙伴。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）的核心电路中，能量转换的每一个环节都至关重要。STB28N65M2凭借其650V的漏源电压和20A的连续漏极电流能力，为高压大电流应用场景提供了坚实的保障。其采用的先进MDmesh M2技术，在芯片内部实现了卓越的电荷平衡，使得它在开关过程中能显著降低导通损耗和开关损耗。这意味着，在同样的输出功率下，您的系统发热更少，效率更高，整体运行更加冷静、可靠。无论是面对严苛的工业环境，还是需要7x24小时稳定运行的通信基础设施，它都能游刃有余。

选择STB28N65M2的理由清晰而有力。首先，其180毫欧的超低导通电阻（@10A,10V）直接转化为更低的传导损耗，让宝贵的电能更多地用于驱动负载，而非白白消耗在器件本身。其次，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得驱动电路的设计更为简单高效，开关速度更快，有助于提升系统整体频率和功率密度。最后，高达170W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它极强的过载和热管理能力，确保系统在极端工况下的稳健性。当您需要稳定可靠的货源和专业的技术支持时，我们的ST一级代理身份能确保您获得原厂正品与全方位的服务。选择STB28N65M2，就是选择为您的下一代高能效产品注入一颗强劲而智慧的心脏。

• 型号:STB28N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB28N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。