STB28NM60ND

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为高电压、大电流应用中的开关损耗和散热问题而困扰？现在，一个卓越的解决方案已经到来STB28NM60ND，这颗源自意法半导体FDmesh II家族的功率MOSFET，正是为挑战而生。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体性能、降低运营成本的得力助手。凭借其600V的卓越耐压能力和高达23A的连续漏极电流，它能在严苛的工业环境中稳定运行，将高效与可靠完美结合。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，STB28NM60ND正发挥着核心作用。它超低的导通电阻（典型值仅150毫欧）意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的能源利用率。在PFC（功率因数校正）电路或硬开关拓扑中，其优化的栅极电荷和电容特性确保了快速、干净的开关动作，显著降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的产品不仅满足能效法规，更在市场竞争中脱颖而出。无论是面对频繁启停的电机控制，还是需要持续稳定输出的电源模块，它都能游刃有余。

选择STB28NM60ND，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其D2PAK封装提供了优异的功率处理能力和散热特性，结合高达150°C的结温，赋予了设计者更大的热管理余量和系统可靠性。虽然该型号已不适用于全新设计，但其成熟的技术、卓越的性能和经过市场长期验证的可靠性，使其成为许多现有产品升级或延续生产的理想选择。为了确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST中国代理进行采购。让这颗凝聚了智慧与工艺的芯片，为您的下一个成功项目注入强劲动力，共同开启高效、节能的新篇章。

• 型号:STB28NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB28NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。