STB30N65M2AG

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一颗能够同时驾驭高电压、大电流，并能在严苛环境下稳定工作的功率开关？答案就在STB30N65M2AG。这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其650V的卓越耐压能力和高达20A的连续漏极电流，为您打开了通往更高性能设计的大门。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现能效突破的关键引擎。

想象一下，在新能源汽车的OBC（车载充电机）中，它能够高效地处理能量转换，让充电更快、更安全；在工业伺服驱动和UPS不间断电源系统中，其稳定的开关特性确保了设备长时间可靠运行，减少宕机风险；甚至在要求严苛的照明和电源适配器领域，它也能凭借出色的热性能和电气特性，帮助您设计出更紧凑、更高效的解决方案。无论是面对汽车电子AEC-Q101的可靠性考验，还是工业环境下的温度波动，它都能从容应对，让您的产品在各种应用场景中游刃有余。

选择STB30N65M2AG，就是选择了一份坚实的保障与卓越的性能。其低至180毫欧的导通电阻，意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，直接为您节省运营成本。极低的栅极电荷和优化的开关特性，让驱动设计更简单，系统响应更迅速。表面贴装的D2PAK封装结合190W的强大功率耗散能力，为散热设计提供了巨大便利，确保芯片在-55°C至150°C的广阔结温范围内稳定工作。当您需要可靠的原厂品质与技术支持时，选择一家资深的ST芯片代理合作伙伴至关重要，他们能为您提供从选型到量产的全方位支持。让STB30N65M2AG成为您下一个成功项目的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STB30N65M2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB30N65M2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。