STB30N65M5

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否仍在为开关损耗、热管理和系统稳定性而反复权衡？今天，我们为您带来一个能彻底改变游戏规则的答案意法半导体MDmesh V系列中的明星产品：STB30N65M5。这颗650V、22A的N沟道MOSFET，以其革命性的超低导通电阻和卓越的开关性能，正重新定义中高功率应用的效率标准。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或新能源充电桩中，STB30N65M5能够轻松应对严苛的工况。其139毫欧的超低导通电阻（@10V, 11A），意味着更低的传导损耗，直接将电能转化为宝贵的热量大幅减少。搭配仅64nC的低栅极电荷，它实现了开关速度与损耗的完美平衡，让您的系统在全负载范围内都能保持冷静、高效运行，功率耗散能力高达140W，结温可达150°C，可靠性毋庸置疑。无论是面对频繁启停的电机控制，还是需要持续高功率输出的UPS系统，它都能提供稳定如一的表现。

选择STB30N65M5，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一份面向未来的设计保障。它采用的先进MDmesh V技术，专为优化开关性能而生，能显著降低电磁干扰（EMI），简化您的滤波电路设计。表面贴装的D2PAK封装兼具出色的散热能力和自动化生产的便利性，能有效帮助您缩短开发周期，加速产品上市。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的合作伙伴专业的ST代理商将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即将STB30N65M5纳入您的设计，亲身体验它如何为您的下一代高能效产品注入强劲动力与持久耐力。

• 型号:STB30N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:139 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2880 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB30N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。