STB30NM60ND

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗和温升问题而妥协？现在，让我们向您介绍一款能够打破瓶颈的卓越选择STB30NM60ND。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和高达25A的连续电流能力，为您的高压、大电流应用场景注入了澎湃而稳定的动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、实现设计小型化的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或是高功率LED照明驱动器中，每一次开关动作都伴随着能量的损耗与热量的产生。STB30NM60ND凭借其先进的FDmesh II技术，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下控制在极低的130毫欧。这意味着在相同的负载电流下，它的导通损耗显著降低，更多的电能被有效传递，而非转化为无用的热量。这不仅直接提升了系统的转换效率，更能让您的散热设计更为从容，甚至简化散热器，为产品赢得更小的体积和更长的寿命。

选择STB30NM60ND，就是选择了一份可靠的承诺。其高达190W的功率耗散能力和150°C的最高结温，确保了它在严苛环境下依然稳定工作。优化的栅极电荷（Qg）特性，让驱动电路的设计更加轻松，有助于实现更高的开关频率，从而进一步缩小磁性元件的体积。当您需要为关键项目寻找值得信赖的功率核心时，这颗芯片所代表的性能与品质，无疑是您信心的来源。如需获取正品货源与专业的技术支持，您可以随时联系我们的ST中国代理团队。

• 型号:STB30NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB30NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。