STB31N65M5

当您的电源设计需要在效率与可靠性之间找到完美平衡点时，您是否曾为选择一款既能承受高压冲击又能保持低损耗的功率器件而困扰？现在，答案已经揭晓STB31N65M5正是为应对这一挑战而生。作为ST意法半导体MDmesh V家族的杰出代表，这颗N沟道MOSFET凭借650V的卓越耐压能力和高达22A的连续漏极电流，为您的高功率应用注入了前所未有的强劲动力。其核心秘密在于先进的MDmesh V技术，它通过优化单元结构和工艺，将导通电阻降至惊人的148毫欧，这意味着在相同电流下，能量损耗显著降低，系统整体效率得以大幅跃升。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩这些对能效和稳定性要求严苛的场景中，STB31N65M5是如何大显身手的。它就像一位不知疲倦的能源卫士，在频繁的开关动作中始终保持冷静，得益于仅45nC的低栅极电荷和优化的动态特性，开关速度更快，开关损耗更低，让您的系统响应更迅捷，运行更安静。其表面贴装的D2PAK封装不仅提供了出色的散热性能，确保在高达150°C的结温下稳定工作，功率耗散可达150W，更为紧凑的PCB布局创造了条件，帮助您节省宝贵的空间。无论是应对电网波动还是负载突变，其坚固的Vdss和Vgs耐受能力都为您构筑了可靠的安全屏障。

选择STB31N65M5，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一个经过市场验证的解决方案和一份长久安心的保障。它让您的产品在能效竞赛中脱颖而出，满足日益严格的绿色节能标准，同时其高可靠性和长寿命显著降低了系统的总拥有成本。从原型设计到批量生产，ST中国代理网络将为您提供全面的技术支持与便捷的供应链服务，确保您能轻松地将这颗芯片的强大性能转化为产品的核心竞争力。现在就拥抱STB31N65M5，让它成为您下一代高效、紧凑、可靠电源设计的核心引擎，开启能效新纪元。

• 型号:STB31N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:148 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1865 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB31N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。