STB33N60M2

在追求极致能效的电力转换世界，您是否还在为开关损耗和系统可靠性而妥协？想象一下，一款能在600V高压下稳定输出26A电流，同时将导通电阻控制在极低水平的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计格局。这正是STB33N60M2带来的核心价值它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh II Plus技术皇冠上的一颗明珠，专为那些拒绝平庸、追求卓越的工程师而生。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的价值便熠熠生辉。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的新能源充电桩和光伏逆变器，STB33N60M2都能成为系统的心脏，强劲而稳定地搏动。其125毫欧的超低导通电阻（在13A，10V条件下），意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。在-55°C到150°C的严苛工作温度范围内，它依然能保持卓越的性能，让您的产品从容应对从酷寒到炎热的任何环境挑战，可靠性从此不再是纸上谈兵。

选择STB33N60M2，就是选择了一份面向未来的技术保障。它集成了快速恢复体二极管，显著降低了反向恢复电荷和时间，这对于高频开关应用而言至关重要，能有效减少电磁干扰，提升系统整体性能。表面贴装的D2PAK封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更优化了散热路径，让高达190W的功率耗散变得轻松可控。这一切精妙的设计，都让您的产品在能效、功率密度和长期稳定性上脱颖而出。如果您正在寻找值得信赖的供应链伙伴，专业的ST芯片代理将为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务，确保您的创新之路畅通无阻。拥抱STB33N60M2，就是拥抱更高效、更可靠、更具竞争力的下一代电源解决方案。

• 型号:STB33N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1781 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB33N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。