STB33N65M2

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗功率器件，不仅拥有650V的坚固防线，更能将导通电阻降至新低，让每一次电流通过都更为顺畅，整体系统效率提升触手可及。这正是STB33N65M2带来的变革性体验。

源自ST意法半导体备受赞誉的MDmesh M2系列，这颗N沟道MOSFET专为应对高要求的中高功率场景而生。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的新能源车载充电器(OBC)和光伏逆变器，它都能游刃有余。其高达24A的连续漏极电流承载能力和190W的强大功率耗散，意味着在紧凑的D2PAK封装内，蕴藏着稳定驱动大功率负载的可靠心脏。当您的设计需要在严苛环境下持续输出，STB33N65M2就是那份值得信赖的保障。

选择它，不仅仅是选择了一个参数优异的晶体管。您选择的是MDmesh M2技术带来的卓越开关性能与导通损耗的完美平衡。极低的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)，显著降低了驱动损耗，让开关频率得以提升，从而允许使用更小的磁性元件，助力实现电源系统的小型化与轻量化。同时，其优异的体二极管特性进一步提升了系统可靠性。面对复杂的供应链，通过值得信赖的ST中国代理进行采购，您不仅能确保获得原装正品，还能获得及时的技术支持与供应保障，让项目从设计到量产全程无忧。让STB33N65M2成为您下一代高效、紧凑、可靠电源设计的核心动力，共同开启能效新纪元。

• 型号:STB33N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1790 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB33N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。