STB34N50DM2AG

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题所困扰？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STB34N50DM2AG。这颗源自意法半导体尖端MDmesh DM2技术平台的N沟道功率MOSFET，不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键引擎。它凭借500V的高耐压和26A的连续电流能力，在严苛的工业与汽车环境中展现出无与伦比的稳定性，其超低的120毫欧导通电阻，直接转化为更少的能量损耗和更低的温升，让您的系统运行更清凉、更持久。

想象一下，在电动汽车的车载充电机(OBC)中，它如何高效地处理能量流动；在服务器电源和工业电机驱动中，它又如何以极快的开关速度提升整体频率响应，缩小被动元件体积。无论是太阳能逆变器需要应对的复杂工况，还是通讯电源所追求的高功率密度，STB34N50DM2AG都能游刃有余。其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，意味着它从晶圆到封装都经历了最严苛的验证，足以承受-55°C至150°C的结温范围，确保从寒带到热带，从启动瞬间到持续满载，性能始终如一。选择它，就是为您的产品注入了历经千锤百炼的耐久基因。

为何众多领先厂商在关键设计中纷纷转向这款器件？答案在于它带来的综合价值远超一个普通MOSFET。其优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)，显著降低了驱动损耗，让您的栅极驱动电路设计更简单、更高效。表面贴装的D2PAK封装提供了优异的散热能力和功率密度，同时便于自动化生产。当您与可靠的ST代理合作时，您获得的不仅是一颗高性能芯片，更是从技术选型支持到稳定供应链保障的全方位服务。选择STB34N50DM2AG，就是选择了一个经过市场验证的、能够降低系统总成本、加速产品上市并赢得终端用户信赖的卓越技术伙伴。立即体验，开启能效新纪元。

• 型号:STB34N50DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 26A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB34N50DM2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。