STB34NM60ND

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为如何平衡高性能与系统成本而烦恼？现在，答案已经揭晓。我们隆重向您介绍意法半导体FDmesh II系列中的明星产品STB34NM60ND。这款N沟道功率MOSFET以其600V的卓越耐压能力和高达29A的连续漏极电流，为您的高要求应用注入强劲而稳定的动力核心。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键伙伴。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高功率LED照明和电焊机等严苛的应用场景中，系统需要应对频繁的开关动作和高负载冲击。STB34NM60ND正是为此而生。其FDmesh II超结技术带来了革命性的低导通电阻，在10V驱动电压下，仅110毫欧的Rds(on)值意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传递，而非浪费在发热上。这不仅直接提升了整机效率，更能让您的散热设计更为从容，系统结构更紧凑，寿命更长久。在追求绿色节能的今天，选择它，就是选择了更高的能效标准和更低的运营成本。

为何众多工程师在众多选项中最终锁定STB34NM60ND？理由清晰而有力。首先，其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了超快的开关速度，能显著降低开关损耗，让高频高效运行成为可能，特别适合现代高频开关电源设计。其次，坚固的D2PAK封装提供了出色的功率耗散能力（高达190W）和机械可靠性，确保在高温高振动环境下依然稳定如山。更重要的是，作为源自意法半导体的成熟产品，它拥有顶级的品质一致性和供货保障。如果您正在寻找可靠的原厂货源，我们的ST一级代理资质能确保您获得正品支持与专业服务。选择STB34NM60ND，不仅是选择了一颗高性能芯片，更是选择了一个值得信赖的解决方案，它将助您轻松攻克设计难题，让产品在市场中脱颖而出。

• 型号:STB34NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB34NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。