STB35N60DM2

在追求极致能效的电力转换世界，您是否还在为开关损耗与系统可靠性之间的平衡而困扰？现在，让我们向您介绍一个划时代的解决方案STB35N60DM2。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和28A的连续电流能力，正重新定义中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或太阳能逆变器中，STB35N60DM2正以其卓越的MDmesh DM2技术内核高效运作。其低至110毫欧的导通电阻，意味着更少的导通损耗，电能得以更纯粹地传递；而优化的栅极电荷与电容特性，则显著降低了开关过程中的能量浪费。这使得您的整机系统效率轻松攀升，温升得到有效控制，在严苛的工业环境或7x24小时不间断运行的场景下，依然能保持稳定如初的强劲输出。无论是面对功率因数校正（PFC）电路中的高频切换，还是电机控制中的快速响应需求，它都能游刃有余。

选择STB35N60DM2，就是选择了一份经得起未来考验的保障。其坚固的D2PAK封装提供了出色的功率耗散能力，结合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保了产品在极端温度下的长久寿命。这背后，是ST意法半导体深厚的工艺积淀与质量承诺。当您需要可靠的技术支持和本土化服务时，专业的ST中国代理网络将是您的坚实后盾，帮助您快速将先进技术转化为市场优势。从原型设计到批量生产，这颗芯片所带来的高效率、高可靠性和高功率密度，将让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得客户的持久信赖。

• 型号:STB35N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB35N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。