STB35N65DM2

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率开关器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要处理650V高压、承载28A持续电流时，传统的MOSFET往往在导通损耗、开关速度和热管理之间难以平衡。现在，这一切有了更优解来自ST意法半导体MDmesh M2系列的全新力作STB35N65DM2，正以其卓越的性能重塑高压应用的能效标准。

这颗芯片的核心魅力在于其革命性的MDmesh M2技术。它将极低的导通电阻（Rds(on)）与优化的栅极电荷（Qg）完美结合，在650V的漏源电压下，导通电阻最大值仅为110毫欧。这意味着在相同的电流条件下，芯片自身的功耗显著降低，更多的电能被高效地输送到负载端，而不是以热量的形式白白浪费。更低的栅极电荷则带来了更快的开关速度，减少了开关过程中的能量损耗，让您的系统在频繁启停或PWM调制时依然保持冷静与高效。这种从“芯”开始的能效提升，直接转化为更长的设备运行时间、更小的散热器需求以及整体系统成本的优化。

如此强悍的性能，让STB35N65DM2在众多高要求的应用场景中游刃有余。想象一下，在服务器电源和通信电源中，它能够确保电能稳定、高效地转换，为数据中心和网络设备提供不间断的强劲动力；在工业电机驱动和变频器领域，其快速的开关特性和高可靠性，使得电机控制更加精准、响应更为迅捷，同时大幅降低电磁干扰；对于日益普及的太阳能光伏逆变器和UPS不间断电源，其650V的高压耐受能力和优异的能效表现，是保障系统长期稳定运行、最大化能源利用率的基石。无论是追求功率密度的紧凑型设计，还是注重长期可靠性的工业级产品，它都能成为您电路中值得信赖的“能量阀门”。

选择STB35N65DM2，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。ST意法半导体作为全球半导体领导者，其MDmesh系列早已成为高性能功率MOSFET的代名词。这颗芯片不仅继承了系列的优良基因，更在性能上实现了突破。其D2PAK封装提供了优异的散热能力和机械强度，表面贴装设计适应现代化自动生产流程。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在极端环境下依然稳定工作。当您在设计下一代电源或驱动方案时，ST芯片代理将为您提供从这颗顶级芯片到全方位技术支持的完整服务链。让STB35N65DM2成为您产品领先于市场的秘密武器，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STB35N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB35N65DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。