STB35N65M5

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭650V高压和27A大电流的功率开关，以其卓越的性能，正在重新定义高效电源的可能性。这正是STB35N65M5为您带来的核心价值。作为意法半导体MDmesh V家族的明星成员，它不仅仅是一个MOSFET，更是您实现系统性能飞跃的关键引擎。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的价值便更加凸显。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断追求轻量化与长续航的电动汽车车载充电器(OBC)，STB35N65M5都能游刃有余。其98毫欧的超低导通电阻，意味着在相同电流下更小的导通损耗，电能被更高效地传递，而非转化为无谓的热量。搭配仅为83nC的低栅极电荷，开关过程迅捷而平滑，显著降低了开关损耗。这两者的完美结合，直接为您带来了系统整体效率的显著提升和散热设计的简化，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更低的运行温度和更高的可靠性脱颖而出。

选择STB35N65M5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其采用的MDmesh V第五代超结技术，在硅片层面进行了深度优化，实现了导通电阻与开关性能的最佳平衡。高达150°C的结温工作能力，赋予了系统应对极端工况的从容与稳健。而经典的D2PAK封装，不仅提供了强大的功率耗散能力（高达160W），也兼顾了生产的便利性与可靠性。这一切的背后，是意法半导体对品质的严苛追求。若您正在寻找可靠的技术伙伴与稳定的供货渠道，专业的ST芯片代理将是您连接这份顶尖技术与自身创新产品之间的坚实桥梁。立即采用STB35N65M5，让它成为您下一代电源设计中，那个既强大又高效的核心动力单元。

• 型号:STB35N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB35N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。