STB36NF06LT4

您是否正在为电源转换效率而烦恼？是否在寻找一款既能承载大电流又能保持低温运行的功率开关解决方案？今天，我们为您带来一款能够彻底改变您设计思路的明星产品STB36NF06LT4。这款来自意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的性能和可靠性，正在成为工业控制、汽车电子和高效电源领域工程师们的首选。想象一下，在您的下一个项目中，系统运行更稳定，能耗显著降低，整体性能大幅提升，这一切都源于一个核心器件的升级。

无论是驱动电机、管理电池组，还是构建高效的DC-DC转换器，STB36NF06LT4都能游刃有余。其60V的漏源电压和高达30A的连续漏极电流，赋予了它强大的功率处理能力，足以应对严苛的负载挑战。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的40毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，让您的设备运行得更凉爽、更持久。从-55°C到175°C的宽广工作温度范围，确保了它在极端环境下依然稳定可靠，无论是炎热的引擎舱还是寒冷的户外设备，它都是您最值得信赖的伙伴。

选择STB36NF06LT4，就是选择了一份安心与高效。它采用了意法半导体引以为傲的STripFET II技术，这项技术优化了芯片结构，在相同的硅片面积上实现了更低的导通电阻和更快的开关速度。极低的栅极电荷（仅17nC @ 5V）意味着驱动电路可以更简单、更快速，从而减少开关损耗，提升系统整体频率和响应速度。其D2PAK封装不仅提供了优异的散热性能，也兼容自动化表面贴装生产，能帮助您大幅提升生产效率和产品一致性。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，我们的ST代理团队随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务。让STB36NF06LT4成为您产品竞争力的强大引擎，开启高效、可靠设计的新篇章。

• 型号:STB36NF06LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:660 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB36NF06LT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。