STB36NM60ND

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为功率器件的选择而犹豫？面对600V高压应用，既要保证强大的电流承载能力，又要实现极低的开关损耗，这似乎是一个难以两全的挑战。现在，答案变得清晰而有力STB36NM60ND的到来，正是为了终结这种妥协。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的FDmesh II技术，为您的高压设计注入澎湃动力与非凡效率。

想象一下，在电动汽车的车载充电器(OBC)中，能量需要被高效、稳定地转换；在工业电机驱动和服务器电源里，系统必须在严苛环境下持续可靠运行。这正是STB36NM60ND大展身手的舞台。它高达600V的漏源电压和29A的连续漏极电流，为处理高功率任务提供了坚实的基础。而其核心魅力在于极低的导通电阻仅110毫欧，这意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被转化为有效输出，直接提升了整机效率并降低了温升。更低的损耗也意味着更小的散热设计压力，让您的产品结构更紧凑，成本更优化。

选择STB36NM60ND，就是选择了一份面向未来的保障。它隶属于ST的汽车级(AEC-Q101)产品系列，经过了最严格的可靠性认证，确保在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，从容应对各种振动与温度冲击。其优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性，使得开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用，让您的电源设计轻松迈向更高频率，实现功率密度的突破。无论是提升现有产品性能，还是开发下一代高效能解决方案，这颗芯片都是您值得信赖的伙伴。为确保您获得原装正品与完善的技术支持，我们推荐您通过官方ST授权代理进行采购，为您的项目成功加上双保险。

从概念到量产，每一个环节都至关重要。STB36NM60ND采用的表面贴装D2PAK封装，不仅具有良好的散热性能，也兼容现代化的自动化生产工艺，助力您实现高效、高质量的生产制造。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键钥匙。当效率、可靠性与功率密度成为决胜因素时，让STB36NM60ND成为您设计中那颗最闪耀的核心，驱动创新，赢取先机。

• 型号:STB36NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB36NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。