STB37N60DM2AG

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而困扰？今天，我们为您带来一个革命性的解决方案STB37N60DM2AG。这颗源自意法半导体MDmesh DM2家族的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和28A的连续电流能力，正重新定义中高功率应用的性能标准。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统可靠性、缩小产品体积并降低总成本的关键引擎。

想象一下，在电动汽车的车载充电器(OBC)中，或者在工业电机驱动和服务器电源里，能量需要被高效、快速且稳定地转换与控制。STB37N60DM2AG正是为此类严苛场景而生。其卓越的110毫欧超低导通电阻（在14A，10V条件下），意味着在导通状态下的损耗被大幅削减，电能更多地被用于驱动负载，而非转化为无谓的热量。更低的栅极电荷（Qg最大值54nC）则确保了极快的开关速度，让您的系统响应更迅捷，开关损耗更低，整体效率轻松攀上新高点。无论是面对频繁启停的电机控制，还是要求纹波极小的精密电源，它都能游刃有余。

选择STB37N60DM2AG，就是选择了一份安心的保障与显著的竞争优势。它通过了严苛的AEC-Q101汽车级认证，从-55°C到150°C的结温范围内都能稳定工作，赋予了产品无与伦比的坚固性与长寿命。其D2PAK封装不仅提供了优异的散热性能，支持高达210W的功率耗散，也兼容成熟的表面贴装工艺，让您的生产制造高效而可靠。当您致力于打造下一代高性能、高可靠性的电源或驱动方案时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴。如需获取正品保障与专业技术支持，我们的ST一级代理团队随时为您服务，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:STB37N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB37N60DM2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。