STB40N60M2

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为开关损耗与系统稳定性之间的平衡而困扰？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体MDmesh II Plus系列中的明星产品STB40N60M2。这款600V、34A的N沟道功率MOSFET，以其革命性的低导通电阻和超快开关特性，正在重新定义中高功率应用的性能标准。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的强大引擎。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或太阳能逆变器中，STB40N60M2正以高达250W的功率处理能力稳定运行。其MDmesh II Plus技术专为降低传导和开关损耗而优化，88毫欧的超低导通电阻意味着更少的热量产生，更高的整体效率。无论是面对严苛的工业环境，还是需要7x24小时不间断运行的通信设备，它都能在-55°C至150°C的结温范围内保持卓越性能，让您的设计从容应对各种挑战。

选择STB40N60M2，就是选择了一份安心与高效。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了驱动损耗，让您的栅极驱动电路设计更简单，系统开关频率可以更高，从而允许使用更小的磁性元件，进一步缩小产品体积、降低成本。表面贴装的D2PAK封装提供了优异的散热能力和生产便利性。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST代理商将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用STB40N60M2，让它成为您下一代高效、紧凑、可靠功率系统的核心动力，开启能效新纪元。

• 型号:STB40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB40N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。