STB40NF10LT4

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为开关损耗和热管理问题而困扰？想象一下，一款能够在100V电压下稳定承载40A电流的功率开关，同时将导通电阻控制在惊人的33毫欧以下这不仅仅是参数，这是STB40NF10LT4为您带来的现实性能飞跃。作为ST意法半导体STripFET II家族的杰出代表，这颗N沟道MOSFET以其卓越的电气特性，正在重新定义中高功率应用的效率标准。

无论是服务器电源中需要高效DC-DC转换的苛刻环境，还是工业电机驱动里对可靠性与响应速度的双重要求，甚至是不断进化的汽车辅助系统与新能源设备，STB40NF10LT4都能游刃有余。其仅需5V的低驱动电压即可实现优异导通性能，配合低至64nC的栅极电荷，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统整体效率显著提升。在-65°C至175°C的宽广结温范围内稳定工作，并采用坚固的D2PAK封装，确保了它在各种振动与热应力下的长久可靠性。

选择STB40NF10LT4，就是选择了一份经过市场验证的安心与高效。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统复杂性的关键伙伴。其优化的性能参数直接转化为更小的散热器需求、更简洁的驱动电路以及最终更低的系统总成本。当您需要可靠的原厂品质与技术支持时，通过官方授权的ST代理进行采购，将是保障供应链稳定与产品合规性的明智之举。让STB40NF10LT4成为您下一个成功设计的强大心脏，开启能效新纪元。

• 型号:STB40NF10LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:33 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB40NF10LT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。