STB40NF20

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否正面临功率密度与散热可靠性的双重挑战？答案或许就藏在这颗性能卓越的功率开关器件之中。我们隆重向您介绍STB40NF20，来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，它不仅仅是一个元件，更是您提升系统整体竞争力的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明等严苛应用中，STB40NF20凭借其高达200V的漏源电压和40A的连续漏极电流能力，能够从容应对高电压大电流的冲击。其核心秘密在于ST引以为傲的STripFET技术，这项技术将导通电阻（Rds(On)）显著降低至仅45毫欧（在10V驱动下），这意味着更低的导通损耗和更少的发热。更低的损耗直接转化为更高的系统效率，让您的产品在能效比拼中脱颖而出，同时，减少的热量也简化了散热设计，为产品小型化创造了更多可能。

无论是需要快速开关频率的开关电源（SMPS），还是对动态响应要求极高的电机控制，STB40NF20都能完美胜任。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，这不仅提升了瞬态响应速度，也降低了驱动电路的负担，让您的控制环路设计更为简洁高效。其坚固的D2PAK封装提供了优异的功率耗散能力（高达160W），结合宽达-55°C至150°C的工作结温范围，赋予了产品无与伦比的可靠性与环境适应性，即使在最恶劣的工况下也能稳定运行。

选择STB40NF20，就是选择了一份由全球半导体巨头ST意法半导体提供的品质保证。其“有源”的产品状态意味着长期稳定的供应与技术支撑。为了确保您能获得百分百原装正品与及时的技术服务，我们强烈建议您通过官方ST授权代理进行采购。这不仅是获得最佳性能和可靠性的捷径，更是为您的项目保驾护航，让您能够心无旁骛地专注于核心创新，将高效、可靠、紧凑的动力核心轻松融入您的下一代产品设计中。

• 型号:STB40NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB40NF20的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。