STB42N60M2-EP

当您的电源设计需要在600V高压下稳定输出34A电流，同时还要兼顾效率与散热时，您是否曾为寻找那颗“恰到好处”的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh M2-EP系列中的明星产品STB42N60M2-EP，它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统能效、实现设计突破的得力引擎。

这颗芯片的卓越之处，首先体现在其革命性的低导通电阻上。在10V驱动电压下，仅87毫欧的超低Rds(on)值，意味着在相同电流下，它能将导通损耗降至极低水平，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非无谓的热量。这正是MDmesh M2-EP技术的精髓所在，通过优化的单元结构和先进的工艺，在高压领域实现了媲美中低压器件的导通性能。当您将它应用于服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源(UPS)系统时，它能显著降低系统的整体功耗，帮助您的终端产品轻松满足日益严苛的能效标准，比如80 PLUS钛金认证，从而在市场竞争中赢得绿色、节能的宝贵标签。

想象一下，在紧凑的通信基站电源模块里，或在自动化生产线高速运转的变频器中，环境温度攀升，对元器件的可靠性是严峻考验。STB42N60M2-EP凭借高达150°C的结温工作能力和D2PAK封装优异的散热特性，提供了强大的功率处理能力和热可靠性。其优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)组合，确保了快速、干净的开关动作，这不仅减少了开关损耗，还简化了驱动电路设计，让您能够采用更高效的拓扑结构（如LLC谐振变换），进一步提升功率密度。选择它，就是选择了一份从容应对高功率密度挑战的自信。

那么，在众多高压MOSFET中，为何最终锁定STB42N60M2-EP？因为它精准地平衡了性能、可靠性与成本。它并非单纯追求参数的极限，而是致力于在关键指标上提供最优的“价值组合”：足够的电压余量保障安全，出色的电流能力支撑功率，卓越的开关特性提升频率，以及坚固的封装保证寿命。这背后，是意法半导体深厚的工业级产品设计和制造底蕴。当您与我们专业的ST芯片代理合作，您获得的不仅是一颗高品质芯片，更是从选型支持、稳定供货到技术咨询的全链路服务保障。让我们携手，用STB42N60M2-EP点燃您下一个高效、可靠的电源设计方案。

• 型号:STB42N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB42N60M2-EP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。