STB42N65M5

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够将650V高压与33A大电流流畅驾驭，同时将导通电阻压至极低的功率开关，能为您的产品带来怎样的性能飞跃与竞争优势？答案就在STB42N65M5之中。

这颗源自ST意法半导体MDmesh V家族的N沟道MOSFET，绝非普通的功率器件。它采用了先进的超结技术，在650V的漏源电压下，实现了仅为79毫欧的极低导通电阻（Rds(on)），这意味着在相同的电流下，其产生的导通损耗显著降低，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。当您将它应用于服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源(UPS)中时，它就像一位高效而稳健的“能量守门员”，确保每一份电能都被精准、低损耗地传递。其高达190W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了系统强大的过载能力和在严苛环境下的可靠运行底气，让您的设计从容应对峰值挑战。

从高功率密度LED驱动到新能源领域的储能变流器，STB42N65M5的身影无处不在。它的价值在于，不仅提供了卓越的静态参数，其动态性能同样出色优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）平衡，确保了快速、干净的开关特性，这对于提升开关频率、减小磁性元件体积至关重要。选择它，就是选择了一种更简洁、更高效的设计哲学。您无需在效率、尺寸和可靠性之间艰难取舍，这颗芯片能帮助您一次性达成所有目标，将复杂的功率管理难题化繁为简。我们信赖的ST中国代理伙伴，能为您提供从选型到量产的全方位技术支持，确保您能充分发挥这颗芯片的全部潜能。

最终，当您的产品因为更低的能耗、更小的体积或更强的稳定性而赢得市场青睐时，您会明白，选择STB42N65M5不仅仅是为电路板选择了一个元件，更是为您的产品注入了一颗强劲而可靠的“芯”。它代表着前沿的功率处理技术，是您打造下一代高性能、高可靠性电源解决方案的基石。立即行动，让它成为您设计中的核心动力，开启能效新纪元。

• 型号:STB42N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:79 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB42N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。