STB45N60DM2AG

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为高电压、大电流应用的开关损耗与散热问题而困扰？今天，我们为您带来一个革命性的解决方案STB45N60DM2AG。这颗来自ST意法半导体MDmesh DM2家族的功率MOSFET，以其600V的耐压和34A的连续电流能力，重新定义了中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统效率、确保长期稳定运行的得力伙伴。

想象一下，在电动汽车的车载充电机(OBC)中，需要高效、安静地将电网交流电转换为电池直流电；在工业伺服驱动器中，电机需要精准、快速且低损耗地启停与调速；甚至在您家中不断电系统(UPS)或太阳能逆变器的核心，能量需要被高效、可靠地转换与传输。这些关键场景，正是STB45N60DM2AG大展身手的舞台。其卓越的MDmesh DM2技术，通过优化的单元结构和先进的工艺，实现了超低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的完美平衡。这意味着在频繁开关的PWM应用中，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让系统整体效率轻松攀升，同时更低的发热量也简化了散热设计，让您的产品结构更紧凑，寿命更长久。

选择STB45N60DM2AG，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的质量承诺。它符合严苛的汽车级AEC-Q101标准，能够在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，这种与生俱来的高可靠性和坚固性，使其不仅能满足工业领域的苛刻要求，更能从容应对汽车电子对振动、温度循环及长期可靠性的终极考验。其D2PAK封装提供了优异的功率处理能力和便于自动化生产的表面贴装便利性。当您致力于打造下一代高效、紧凑且可靠的电源与电机驱动方案时，这颗芯片提供的不仅仅是参数，更是实实在在的竞争优势。如需获取正品保障与专业技术支持，我们的ST一级代理团队随时为您服务。让STB45N60DM2AG成为您设计中的核心动力，共同开启高效电能转换的新篇章。

• 型号:STB45N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB45N60DM2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。