STB47N60DM6AG

想象一下，当您的下一代汽车电子系统需要在严苛环境下稳定运行，同时还要兼顾效率与空间时，您会选择怎样的功率开关解决方案？答案或许就藏在STB47N60DM6AG这颗专为汽车应用而生的N沟道MOSFET中。它不仅仅是一个元件，更是您提升系统可靠性、简化设计并赢得市场先机的强大引擎。

在电动汽车的OBC（车载充电器）、DC-DC转换器，或是传统燃油车的点火系统、电机驱动中，对功率器件的考验是全方位的。高温、振动、电压尖峰……这些日常挑战要求器件必须具备超凡的坚固性。STB47N60DM6AG正是为此而生，其汽车级（AUTOMOTIVE-GRADE）认证意味着它经历了远超工业级标准的严苛测试，从AEC-Q101的可靠性验证到生产流程的全程追溯，确保在-55°C至175°C的极端温度范围内都能稳定工作，为您的设计注入一颗强大的“心脏”，让最终产品无畏任何路况与环境。

选择它，意味着您选择了一种更高效、更紧凑的设计哲学。其先进的MDmesh DM6技术，在600V的漏源电压（Vdss）下，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）和出色的开关性能。这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，让系统的整体能效显著提升，热量管理变得更加轻松。对于日益追求续航里程的电动汽车而言，每一瓦特的节省都意义非凡。同时，DPAK（TO-263）的表面贴装封装，不仅提供了优异的散热能力，还极大地节省了PCB空间，让您的电源模块设计可以更加纤薄、集成度更高。

当您致力于打造更安全、更智能、更高效的汽车时，每一个元件的选择都至关重要。STB47N60DM6AG集高耐压、高效率、高可靠性于一身，是应对汽车电子化浪潮的可靠伙伴。通过与值得信赖的ST代理商合作，您不仅能获得正品保障与稳定的供货支持，更能获取深度的技术咨询，让这颗高性能芯片的价值在您的系统中得到完美释放。现在，就让它成为您下一款标杆产品的核心动力吧。

• 型号:STB47N60DM6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2350 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB47N60DM6AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。