STB4NK60ZT4

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗和散热问题所困扰？想象一下，一款能在600V高压下稳定工作，同时将导通损耗降至极低的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能与可靠性？这正是STB4NK60ZT4为您带来的核心价值。它不仅仅是一个开关，更是意法半导体SuperMESH技术家族的杰出代表，专为应对苛刻的高压开关应用而生，旨在将效率提升至全新高度，让您的设计脱颖而出。

无论是家用电器中的开关电源、LED照明驱动，还是工业领域的辅助电源和电机控制，STB4NK60ZT4都能游刃有余。其4A的连续漏极电流和仅为2欧姆的导通电阻，意味着在传导过程中能量损失更少，发热量更低。这直接转化为更长的设备寿命、更小的散热器需求以及更安静、更可靠的运行体验。当您的产品需要在150°C结温下持续稳定输出时，这颗芯片的强大内核和D2PAK封装提供的出色散热能力，将成为您最坚实的后盾。

选择STB4NK60ZT4，就是选择了一份由尖端技术保障的安心。其极低的栅极电荷（仅26nC）和输入电容，使得开关速度更快，开关损耗显著降低，特别适合高频开关应用，让整体系统效率再上一个台阶。这意味着您的终端产品不仅能满足甚至超越能效标准，还能在成本与性能之间找到最佳平衡点。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗性能强劲的芯片，专业的ST中国代理将为您提供从选型到供应的全方位支持，确保您的创新想法能够快速、顺利地转化为市场领先的产品。现在就拥抱STB4NK60ZT4，让它为您的下一个设计注入高效与可靠的强大基因。

• 型号:STB4NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB4NK60ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。