STB5N52K3

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时兼顾出色开关性能与散热表现的功率器件而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍意法半导体SuperMESH3家族的杰出代表STB5N52K3。这颗N沟道功率MOSFET，以其高达525V的漏源电压和4.4A的连续漏极电流能力，为您的高压应用筑起一道坚固的性能防线。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、降低能量损耗、实现设计小型化的关键赋能者。

想象一下，在开关电源（SMPS）的初级侧，STB5N52K3正以其卓越的SuperMESH3技术，显著降低导通电阻，在10V驱动下仅1.5欧姆，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。无论是工业电机驱动、照明镇流器，还是各类离线式电源转换器，它都能游刃有余地应对高电压应力和频繁的开关动作。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关切换，让您的电源设计在效率与电磁兼容性（EMI）之间取得完美平衡，轻松满足日益严苛的能效标准。

选择STB5N52K3，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。其坚固的D2PAK封装提供了优异的功率耗散能力（高达70W），结合宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保您的产品即使在恶劣环境下也能长期稳定运行。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理商渠道，您依然可以获取库存，为现有产品线的维护或特定项目提供关键支持。它代表了一个经过市场验证的成熟解决方案，让您的设计无需在性能与风险之间妥协，直接集成这份久经考验的可靠性，加速产品上市进程，赢得市场竞争的先机。

• 型号:STB5N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB5N52K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。